Allgemein
| Basis-Teilenummer | MJD200 |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
| Power - Max | 1.4 W |
| Frequency - Transition | 65MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Hersteller-Gehäuse | DPAK |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|