MJD112T4

onsemi

MJD112T4

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerMJD11
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Transistor TypeNPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2V @ 8mA, 2A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100 V
Current - Collector (Ic) (Max)2 A
Current - Collector Cutoff (Max)20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
Power - Max20 W
Frequency - Transition25MHz

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)