MCH6603-TL-H

onsemi

MCH6603-TL-H

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 50V 0.14A 6MCPH

Obsolet6-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs23Ohm @ 40mA, 4V
Basis-TeilenummerMCH6603
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7.4pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C140mA
Power - Max800mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-SMD, Flat Leads
Hersteller-Gehäuse6-MCPH

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)