MCH6602-TL-E

onsemi

MCH6602-TL-E

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6MCPH

Obsolet6-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7Ohm @ 80mA, 4V
Basis-TeilenummerMCH6602
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.58nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA
Power - Max800mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-SMD, Flat Leads
Hersteller-Gehäuse6-MCPH

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)