MCH6351-TL-W

onsemi

MCH6351-TL-W

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 9A 6MCPH

Aktiv6-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs16.9mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 6 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Max. Verlustleistung1.5W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-SMD, Flat Leads
Hersteller-Gehäuse6-MCPH

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)