MCH3376-TL-E

onsemi

MCH3376-TL-E

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 1.5A 3MCPH

ObsoletSC-70, SOT-323Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs241mOhm @ 750mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds120 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta)
Max. Verlustleistung800mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Hersteller-Gehäuse3-MCPH

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)