MBR8170TFSTBG

onsemi

MBR8170TFSTBG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Capacitance @ Vr, F237pF @ 1V, 1MHz
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieSchottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If890 mV @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr30 µA @ 170 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-WDFN (3.3x3.3)

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C