Allgemein
| Basis-Teilenummer | KSP10 |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
|---|---|
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 650MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Cut Tape (CT) Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Hersteller-Gehäuse | TO-92-3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|