Allgemein
| Basis-Teilenummer | KSD2012 |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
| Power - Max | 25 W |
| Frequency - Transition | 3MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220F-3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|