Allgemein
| Basis-Teilenummer | KSB11 |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 1.5mA, 1.5A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 4000 @ 1.5A, 2V |
| Power - Max | 1.3 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-126-3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|