IRLM210ATF

onsemi

IRLM210ATF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 770MA SOT223-4

ObsoletTO-261-4, TO-261AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 390mA, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds240 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C770mA (Ta)
Max. Verlustleistung1.8W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Hersteller-GehäuseSOT-223-4

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)