IRLM120ATF

onsemi

IRLM120ATF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4

AbgekündigtTO-261-4, TO-261AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 1.15A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds440 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A (Tc)
Max. Verlustleistung2.7W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Hersteller-GehäuseSOT-223-4

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)