IRL510A

onsemi

IRL510A

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220-3

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs440mOhm @ 2.8A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds235 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.6A (Tc)
Max. Verlustleistung37W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)