HUFA75307T3ST

onsemi

HUFA75307T3ST

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4

ObsoletTO-261-4, TO-261AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds250 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieUltraFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta)
Max. Verlustleistung1.1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101