HUF75652G3

onsemi

HUF75652G3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 75A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs475 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7585 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieUltraFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
Max. Verlustleistung515W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)