HGTP5N120BND

onsemi

HGTP5N120BND

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT 1200V 21A 167W TO220AB

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge53 nC
IGBT TypeNPT
EingangstypStandard
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)65 ns
Switching Energy450µJ (on), 390µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C22ns/160ns
Test Condition960V, 5A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 5A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)21 A
Current - Collector Pulsed (Icm)40 A
Power - Max167 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)