HGTG10N120BND

onsemi

HGTG10N120BND

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

AbgekündigtTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge100 nC
IGBT TypeNPT
EingangstypStandard
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusLast Time Buy
Reverse Recovery Time (trr)70 ns
Switching Energy850µJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C23ns/165ns
Test Condition960V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 10A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)35 A
Current - Collector Pulsed (Icm)80 A
Power - Max298 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)