HGTD7N60C3S9A

onsemi

HGTD7N60C3S9A

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT 600V 14A TO252AA

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerHGTD7N60
Gate Charge23 nC
EingangstypStandard
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Switching Energy165µJ (on), 600µJ (off)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 7A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)56 A
Power - Max60 W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)