HGTD3N60C3S9A

onsemi

HGTD3N60C3S9A

Analog & Leistungselektronik

IGBT 600V 6A 33W TO252AA

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerHGTD3N60
Gate Charge10.8 nC
EingangstypStandard
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Switching Energy85µJ (on), 245µJ (off)
Test Condition480V, 3A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 3A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)24 A
Power - Max33 W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)