FQB8N60CFTM

onsemi

FQB8N60CFTM

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK

ObsoletTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 3.13A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1255 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieFRFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.26A (Tc)
Max. Verlustleistung147W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263 (D2PAK)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)