FPF2C110BI07AS2

onsemi

FPF2C110BI07AS2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT MODULE 650V 40A 300W F2

Aktiv30-DIP ModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerFPF2C110
KonfigurationHalf Bridge
InputStandard
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
NTC ThermistorYes
Product StatusActive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 40A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)40 A
Current - Collector Cutoff (Max)250 µA
Power - Max300 W

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case30-DIP Module
Hersteller-GehäuseF2

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C