Allgemein
| Basis-Teilenummer | FJN330 |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 300 mW |
| Frequency - Transition | 250MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Cut Tape (CT) Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Hersteller-Gehäuse | TO-92-3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
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