Allgemein
| Basis-Teilenummer | FJBE21 |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Serie | ESBC™ |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 330mA, 1A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 800 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 400mA, 3V |
| Power - Max | 110 W |
| Frequency - Transition | 5MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Hersteller-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TJ) |
|---|