FGA6530WDF

onsemi

FGA6530WDF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT 650V 60A 176W TO3PN

ObsoletTO-3P-3, SC-65-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge37.4 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)81 ns
Switching Energy960µJ (on), 162µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C12ns/42.4ns
Test Condition400V, 30A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 30A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)90 A
Power - Max176 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Hersteller-GehäuseTO-3PN

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)