Allgemein
| Gate Charge | 275 nC |
|---|---|
| IGBT Type | NPT and Trench |
| Eingangstyp | Standard |
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.5 µs |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Power - Max | 156 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-3P |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|