Allgemein
| Gate Charge | 208 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Eingangstyp | Standard |
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 730 ns |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Power - Max | 339 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-3PN |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|