Allgemein
| Basis-Teilenummer | FFSP3065 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1705pF @ 1V, 100kHz |
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 30 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 650 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220-2L |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|