FFSM1065A

onsemi

FFSM1065A

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN

Aktiv4-PowerTSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerFFSM1065
Capacitance @ Vr, F575pF @ 1V, 100kHz
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.75 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)11A
Current - Reverse Leakage @ Vr200 µA @ 650 V
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case4-PowerTSFN
Hersteller-Gehäuse4-PQFN (8x8)

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C