FFSD1065A

onsemi

FFSD1065A

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerFFSD1065
Capacitance @ Vr, F575pF @ 1V, 100kHz
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.75 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)18A
Current - Reverse Leakage @ Vr200 µA @ 650 V
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseD-PAK (TO-252)

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C