FFSD0865B

onsemi

FFSD0865B

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK

AktivTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerFFSD0865
Capacitance @ Vr, F336pF @ 1V, 100kHz
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)11.6A
Current - Reverse Leakage @ Vr40 µA @ 650 V
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)

Mechanisch

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252 (DPAK)

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C