FFSB0865B

onsemi

FFSB0865B

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK

AbgekündigtTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerFFSB0865
Capacitance @ Vr, F336pF @ 1V, 100kHz
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)10.1A
Current - Reverse Leakage @ Vr40 µA @ 650 V
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD²PAK-2 (TO-263-2)

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C