FES10D

onsemi

FES10D

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 200V 10A TO277-3

AbgekündigtTO-277, 3-PowerDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerFES10
Capacitance @ Vr, F140pF @ 4V, 1MHz
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If950 mV @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 200 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-277, 3-PowerDFN
Hersteller-GehäuseTO-277-3

Umwelt

GradeAutomotive
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
QualificationAEC-Q101