FDZ663P

onsemi

FDZ663P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 2.7A 4WLCSP

Obsolet4-XFBGA, WLCSPAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs134mOhm @ 2A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds525 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A (Ta)
Max. Verlustleistung1.3W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case4-XFBGA, WLCSP
Hersteller-Gehäuse4-WLCSP (0.8x0.8)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)