FDZ5047N

onsemi

FDZ5047N

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 22A 36BGA

Obsolet36-VFBGAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.9mOhm @ 22A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs73 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4993 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Ta)
Max. Verlustleistung2.8W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case36-VFBGA
Hersteller-Gehäuse36-BGA (5x5.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)