FDZ299P

onsemi

FDZ299P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA

Obsolet9-WFBGAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.6A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds742 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.6A (Ta)
Max. Verlustleistung1.7W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case9-WFBGA
Hersteller-Gehäuse9-BGA (2x2.1)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)