FDZ209N

onsemi

FDZ209N

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA

Obsolet12-WFBGAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 4A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds657 pF @ 30 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
Max. Verlustleistung2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case12-WFBGA
Hersteller-Gehäuse12-BGA (2x2.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)