FDZ191P

onsemi

FDZ191P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

Obsolet6-UFBGA, WLCSPAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 1A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Max. Verlustleistung1.9W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-UFBGA, WLCSP
Hersteller-Gehäuse6-WLCSP (1x1.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)