FDY4001CZ

onsemi

FDY4001CZ

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 20V 0.2A SOT563F

ObsoletSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 200mA, 4.5V
Basis-TeilenummerFDY40
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds60pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA, 150mA
Power - Max446mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseSOT-563F

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)