FDY3000NZ

onsemi

FDY3000NZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F

AbgekündigtSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 600mA, 4.5V
Basis-TeilenummerFDY3000
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds60pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA
Power - Max446mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseSOT-563F

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)