FDY100PZ

onsemi

FDY100PZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

ObsoletSC-89, SOT-490Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds100 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA (Ta)
Max. Verlustleistung625mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-89, SOT-490
Hersteller-GehäuseSC-89-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)