FDS8928A

onsemi

FDS8928A

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/4A 8SOIC

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5.5A, 4.5V
Basis-TeilenummerFDS89
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A, 4A
Power - Max900mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)