FDS7066N7

onsemi

FDS7066N7

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 23A 8SO

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 23A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs69 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4973 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta)
Max. Verlustleistung3W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-SO FLMP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)