FDS6612A

onsemi

FDS6612A

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC

Abgekündigt8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 8.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds560 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusLast Time Buy
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.4A (Ta)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta)

Mechanisch

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)