FDR8508P

onsemi

FDR8508P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 30V 3A SUPERSOT 8

Obsolet8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 3A, 10V
Basis-TeilenummerFDR85
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds750pF @ 15V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
Power - Max800mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Hersteller-GehäuseSuperSOT™-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)