FDR8308P

onsemi

FDR8308P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SUPERSOT-8

Obsolet8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 3.2A, 4.5V
Basis-TeilenummerFDR83
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1240pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A
Power - Max800mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Hersteller-GehäuseSuperSOT™-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)