FDR6580

onsemi

FDR6580

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8

Obsolet8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 11.2A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3829 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.2A (Ta)
Max. Verlustleistung1.8W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Hersteller-GehäuseSuperSOT™-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)