FDPF3860T

onsemi

FDPF3860T

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 20A TO220F

AktivTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs38.2mOhm @ 5.9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1800 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Max. Verlustleistung33.8W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220F-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)