FDP038AN06A0

onsemi

FDP038AN06A0

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6400 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta), 80A (Tc)
Max. Verlustleistung310W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)