FDMT80080DC

onsemi

FDMT80080DC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.35mOhm @ 36A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds20720 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieDual Cool™, PowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Ta), 254A (Tc)
Max. Verlustleistung3.2W (Ta), 156W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-Dual Cool™88

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)