FDMT80040DC

onsemi

FDMT80040DC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.56mOhm @ 64A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs338 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds26110 pF @ 20 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C420A (Tc)
Max. Verlustleistung156W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-Dual Cool™88

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)